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Le rese dei chip frenano il maxi accordo tra Samsung e Tesla
Samsung ha confermato l’avvio della produzione di massa sul processo a 2 nm, ma le rese stimate attorno al 55% stanno complicando il programma che lega la sua fonderia a Tesla. Il dato resta sotto il livello ritenuto necessario per gestire con profitto un nodo avanzato e rende più fragile l’accordo fino al 2033 per il chip destinato ai sistemi di guida e intelligenza artificiale del costruttore statunitense.
Il divario competitivo rimane ampio: il fatturato delle attività foundry di TSMC sarebbe circa undici volte superiore. La divisione coreana è tornata ad avvicinarsi alla redditività grazie agli ordini per i logic die delle memorie HBM4, ma l’efficienza produttiva resta il parametro decisivo. Con rese insufficienti, una quota maggiore dei wafer lavorati deve essere scartata, facendo aumentare il costo di ogni chip funzionante.
Il fulcro dell’intesa è il campus di Taylor, in Texas, un progetto da circa 44 miliardi di dollari che comprende due fabbriche, un impianto di packaging avanzato e un centro di ricerca. La quota collegata ai finanziamenti statunitensi supera i 37 miliardi, mentre il contributo massimo del CHIPS Act è stato ridotto da 6,4 a 4,745 miliardi. Il sito dovrà produrre il chip AI6 usando la variante SF2P+.
Dopo il rallentamento dei lavori, il trasferimento delle apparecchiature è iniziato e la produzione di prova è programmata entro la fine del 2026. La piena produzione dovrebbe partire nel 2027, con un obiettivo di circa 50.000 wafer avviati ogni mese. Il programma AI6 avrebbe però accumulato circa sei mesi di ritardo a causa dello slittamento di un ciclo ingegneristico, spostando i volumi verso la fine del 2027.
Samsung può sostenere una fase così costosa perché la fonderia opera nella divisione Device Solutions insieme al redditizio comparto delle memorie, senza un conto economico autonomo pubblicato. Questa struttura offre più tempo per correggere i processi, pur alimentando le tensioni interne generate dalla corsa ai chip per l’IA. Una fonderia indipendente avrebbe margini di manovra inferiori davanti a impianti sottoutilizzati e rese ancora immature.
La nuova tabella di marcia concede più tempo alla famiglia a 2 nm. Dopo la prima generazione SF2 arriveranno l’aggiornamento SF2P, la versione destinata al Texas e SF2Z, che introdurrà l’alimentazione dal retro del wafer con produzione prevista nel 2027. Il passaggio a SF1.4, inizialmente programmato per il 2027, è stato invece rinviato ufficialmente al 2029, aggiungendo tre anni alla maturazione del nodo attuale.
Anche l’introduzione della litografia High-NA EUV è stata spostata più avanti: Samsung continuerà a usare strumenti Low-NA sul processo a 1,4 nm e riserverà la nuova tecnologia al nodo SF1A da 1 nm, previsto attorno al 2030. La variante SF1.4+ resterà come alternativa basata su flussi produttivi più collaudati. Il successo di Taylor e del contratto Tesla dipenderà però dalla capacità di trasformare questa prudenza tecnologica in rese sensibilmente superiori al 55%.
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