// TOM'S HARDWARE ITALIA — INTELLIGENZA ARTIFICIALE
PieceMakers unisce DRAM e processore: l'AI in locale costa meno?
PieceMakers ha delineato il passaggio dalle memorie standard alla progettazione su misura per l'intelligenza artificiale, con produzione e royalties previste dal 2027. La società taiwanese punta su stack di DRAM collegati direttamente al processore tramite hybrid bonding, mirando anche ai dispositivi edge che eseguono l'AI localmente. L'obiettivo è adattare memoria e calcolo alle esigenze dell'applicazione, cercando un'alternativa economicamente sostenibile alle soluzioni basate su HBM.
Alla base dell'offerta ci sono due progetti. HBLL, acronimo di High Bandwidth, Low Latency RAM, è una memoria con struttura 2D accreditata di 144 GB/s di banda: il progetto raggiunse il tape-out nel 2016 per la linea HPC di Intel e venne presentato alla conferenza ISSCC nel 2017. La variante impilata in 3D, chiamata HiBaLL, supera invece 1 TB/s secondo i dati dichiarati dall'azienda.
Il cambiamento è già visibile nei ricavi: la divisione di progettazione personalizzata per l'AI è passata da circa il 4% del fatturato nel 2024 a quasi il 40% nel primo semestre del 2026. Attualmente il modello ruota attorno alle commissioni NRE, ossia i compensi per il lavoro di sviluppo iniziale. Dal 2027 la società prevede di affiancare licenze di proprietà intellettuale, royalties e produzione chiavi in mano.
Tra i clienti descritti dall'azienda figurano sviluppatori di acceleratori per l'inferenza AI nel cloud, operatori internazionali dei semiconduttori e committenti nordamericani. Alcuni programmi sono nelle fasi di progettazione e verifica. Il perimetro commerciale comprende quindi anche applicazioni server, oltre all'edge; il risparmio economico prospettato resta però un obiettivo, senza confronti di costo pubblicati a sostegno.
Il principale azionista è Nanya Technology, con una quota del 33,96%, e la partecipazione si inserisce in una strategia più ampia sulle memorie personalizzate. Nel 2025 Nanya ha annunciato anche una joint venture con Etron Technology, dotata di un capitale di 500 milioni di dollari taiwanesi e partecipata rispettivamente all'80% e al 20%. Il progetto riguarda memorie ad alta banda per dispositivi edge AI; Nanya ha inoltre dichiarato di non voler competere nelle HBM3 e HBM3E.
La realizzazione fisica passa anche da Formosa Advanced Technologies, società del gruppo Formosa Plastics specializzata in assemblaggio e test, che sta sviluppando processi TSV e di impilamento dei die per entrambe le iniziative. Nel progetto PieceMakers, l'hybrid bonding serve a unire direttamente lo stack di memoria al processore. Il packaging diventa così parte integrante della progettazione congiunta dei due componenti.
Una direzione tecnica simile compare nella roadmap di Samsung: la fase chiamata zHBM prevede DRAM sovrapposta al processore, anziché collocata accanto su un interposer. Samsung stima una riduzione di circa il 70% della potenza assorbita dalle connessioni I/O rispetto a HBM5 e una banda circa 2,3 volte superiore a un sistema con quattro stack HBM4E. Per gestire il calore, gli stack previsti sono limitati a circa quattro livelli.
Aggiungi Tom's Hardware alle tue fonti preferite su Google