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Infineon baut erste Hochvolumenfertigung für 300-mm-Galliumnitrid-Halbleiter
Infineon Technologies Austria die weltweit erste Fabrik für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern in Stückzahlen. EU-Subventionen helfen.
Die weltweit erste Anlage zur Herstellung von Galliumnitrid-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern in großem Umfang entsteht in Europa, genauer gesagt in Villach im Süden Österreichs. Infineon Technologies Austria rüstet dort einen bestehenden Reinraum auf. Der Produktionsbeginn ist für Ende 2027 geplant. Der technische Durchbruch bei Galliumnitrid-Wafern ist Infineon Austria vor gut zwei Jahren gelungen. Infineon positioniert sich damit als Anbieter von Wafern aus allen drei Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
Galliumnitrid (GaN) ist (wie Siliziumkarbid) ein sogenannter Wide-Bandgap-Halbleiter mit breitem Abstand zwischen Valenz- und Leitungsband. Das erlaubt, starke Ströme mit hohen Frequenzen und niedrigen Verlusten zu schalten, bei Sperrspannungen bis zu 1700 Volt. Daraus folgen geringere Größe und Gewicht für Geräte wie Solarwechselrichter, Ladegeräte, Motorsteuerungssysteme oder Stromversorgungen für KI-Systeme. Dank höherer Effizienz sinkt auch der Treibhausgasausstoß. Als Beispiel umgelegt auf Elektroautos bedeutet dies leichtere Akkumulatoren, höhere Reichweiten und schnelleres Laden.
„Mit der Errichtung der 300-Millimeter-Hochvolumenfertigung bringen wir Galliumnitrid-Leistungselektronik als erstes Unternehmen weltweit in die Volumenfertigung“, freut sich Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Damit ebnen wir den Weg für den flächendeckenden Einsatz von Galliumnitrid in einer Vielzahl an Schlüsselanwendungen in Bereichen wie Künstliche Intelligenz, Energie-Infrastruktur, Elektromobilität und Robotik.”
Für die Serienproduktion müssen rund 1,1 Milliarden Euro investiert werden, wovon bis zu 319 Millionen Euro aus einer Subvention der Europäischen Union im Rahmen des Europäischen Chips Acts kommen sollen. Die formale Zuteilung durch das österreichische Wirtschaftsministerium steht noch aus, doch lässt die Regierung keine Zweifel an ihrer Einstellung zum Projekt: „Mit dem Milliarden-Investment von Infineon erleben wir eine der größten Einzelinvestitionen in der Geschichte der österreichischen Hightech-Industrie”, sagte Bundeskanzler Christian Stocker (ÖVP). „Das ist nicht nur ein starkes Bekenntnis zu unserem Wirtschaftsstandort, sondern stellt auch sicher, dass die Zukunft der Halbleiterindustrie nicht nur in Asien oder Amerika entschieden wird, sondern auch in Österreich und Europa.”
Stockers Ziel ist, dass sein Land „2035 wieder zu den zehn führenden Industrienationen der Welt” gehört. „Europa steht derzeit nur für rund zehn Prozent der weltweiten Chipproduktion”, weiß sein Parteikollege Wirtschaftsminister Wolfgang Hattmannsdorfer. „Österreich ist bei energieeffizienten Chips bereits führend. Gemessen an unserer Bevölkerungsgröße liegen wir bei den Ausgaben für betriebliche Forschung im Halbleiterbereich EU-weit auf Platz eins. Diesen Vorsprung wollen wir mit unserer Industriestrategie ausbauen”. Bei Leistungselektronik liegt Europas Markanteil laut Infineon bei circa 40 Prozent.
Villach im Bundesland Kärnten ist Infineons globales globales Kompetenzzentrum für Leistungselektronik und neue Halbleitermaterialien. Infineon Austria beschäftigt rund 5.800 Mitarbeiter, von denen 2.500 forschen und 4.800 am Standort Villach tätig sind. Der Aufbau der 300-Millimeter-GaN-Fertigung soll positive Wechselwirkungen mit den in Villach ebenfalls angesiedelten Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten im Bereich der Leistungselektronik auslösen. Galliumnitrid ermöglicht noch höhere Schaltgeschwindigkeiten als Siliziumkarbid (SiC), soll bei Infineon aber nicht mehr kosten.
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