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Samsung rinvia il processo a 1,4 nm, appuntamento al 2029
Samsung Foundry ha aggiornato la propria roadmap produttiva, spostando il processo SF1.4 dal 2027 al 2029. Il nuovo calendario rallenta la corsa verso i nodi più avanzati e indica una priorità precisa: rendere la piattaforma a 2 nm più competitiva sul piano delle rese, dei volumi e dell'affidabilità industriale.
Prima del passaggio alla classe dei 10 angstrom, equivalente alla generazione da circa 1 nm, Samsung continuerà quindi a perfezionare SF2P, SF2X, SF2A e SF2Z. Il debutto nel 2029 assegna alla famiglia SF2 un ciclo commerciale più lungo rispetto a quello prospettato dalla roadmap del 2024.
Il programma comprende SF2Z, variante dotata di backside power delivery, ossia una rete di alimentazione collocata sul retro del wafer per separare la distribuzione della corrente dai collegamenti destinati ai segnali. Tra i progetti che aumentano la pressione sulla produzione figurano i processori AI5 e AI6 di Tesla, coperti da un accordo di fornitura esteso fino al 2033.
Concentrarsi sui 2 nm dovrebbe consentire alla fonderia di migliorare le rese produttive prima di affrontare un'altra transizione tecnologica. La stessa esigenza di maturazione è emersa con il recente miglioramento della resa dei wafer Intel 18A: nei processi avanzati, la disponibilità di un nodo non coincide automaticamente con la capacità di produrlo in grandi volumi e a costi sostenibili.
La roadmap affianca inoltre il futuro processo da 1 nm a SF1.4+, evoluzione del nodo previsto per il 2029. Le due tecnologie dovrebbero convivere: la prima introdurrebbe la litografia High-NA EUV, mentre SF1.4+ continuerebbe a sfruttare flussi produttivi e materiali già collaudati. Samsung potrebbe così proporre un'opzione più innovativa insieme a una piattaforma meno rischiosa per i clienti.
La società possiede già uno scanner ASML Twinscan EXE:5000 con ottiche a 0,55 di apertura numerica, utilizzato da oltre un anno per attività di ricerca. L'adozione in produzione di massa non è però prevista per i 2 nm o per SF1.4: l'inserimento nella linea produttiva dovrebbe avvenire soltanto con la generazione da 1 nm, attorno al 2030.
Gli ostacoli non riguardano solamente il prezzo degli scanner. Il campo d'esposizione più piccolo può richiedere il die stitching per i chip di grandi dimensioni, complicando la progettazione. Servono inoltre nuovi fotoresist, maschere, pellicole protettive, sistemi di metrologia e tecniche di litografia computazionale. Samsung continuerà perciò a usare la più matura Low-NA EUV finché il singolo passaggio High-NA non offrirà vantaggi economici superiori al multipatterning.
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