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Una memoria ferroelettrica raggiunge 10 miliardi di cicli: � 100 volte pi� resistente
Un team di ricercatori cinesi ha sviluppato una memoria ferroelettrica in AlScN capace di superare 10 miliardi di cicli di scrittura, circa 100 volte oltre il precedente limite. Il risultato potrebbe contribuire a rendere pi� durevoli le memorie non volatili di prossima generazione.