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I 4nm di Samsung divorati dalle HBM4: occupato il 50% della capacità
Samsung Electronics avrebbe riservato tra il 50% e il 60% della propria capacità produttiva a 4 nm ai die di base delle memorie HBM4. Le indiscrezioni descrivono linee già operative a pieno regime, mentre la domanda di memoria ad alta banda supera l'offerta. La pressione della memoria destinata agli acceleratori per l'intelligenza artificiale si estenderebbe così anche agli impianti che producono chip logici.
Il processo a 4 nanometri non viene impiegato per fabbricare gli strati DRAM che conservano i dati. Riguarda invece il base die, il chip collocato alla base della pila di memoria. Gli strati DRAM utilizzano processi produttivi dedicati, mentre questo componente viene realizzato con tecnologie per circuiti logici, chiamate a sostenere velocità di trasferimento e segnali sempre più impegnativi.
Stando alle informazioni disponibili, la produzione coinvolgerebbe le linee foundry S5 e S6 dei campus Pyeongtaek 2 e 3, dove Samsung realizza prodotti con processi compresi tra 4 e 7 nm. La capacità complessiva indicata per il solo nodo a 4 nm è di 30.000 wafer al mese, dei quali 15.000 sarebbero destinati ai die di base HBM4.
Con le linee descritte come interamente occupate, eventuali aumenti dei volumi HBM4 richiederebbero una diversa distribuzione della capacità produttiva, oppure risorse aggiuntive. La disponibilità di chip dipende anche dalla continuità operativa degli stabilimenti, un tema emerso con l'incendio in una fabbrica di semiconduttori in Corea del Sud, il cui impatto sulla produzione resta incerto, anche se non sono indicati collegamenti tra quell'episodio e l'allocazione delle linee Samsung.
Samsung può progettare sia la DRAM sia il die logico sottostante, prodotto con tecnologie proprietario. È una differenza rispetto a SK hynix, che ne affida la fabbricazione a TSMC, mentre Micron utilizzerebbe un processo personalizzato. Con l'evoluzione delle HBM, il componente alla base della pila assume un peso crescente: la produzione della memoria coinvolge quindi competenze e impianti che vanno oltre quelli dedicati alla DRAM.
Un'indiscrezione precedente indicava inoltre che Samsung starebbe valutando il passaggio ai 2 nanometri per futuri die di base HBM, riconvertendo una linea nel distretto industriale di Giheung. Questi componenti potrebbero essere riservati a prodotti destinati a NVIDIA.
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