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GaN-Halbleiter: Infineon baut weltweit erste 300-mm-Serienfertigung in Villach
Infineon gilt bereits als Weltmarktführer im Bereich der Galliumnitrid-Wafer-Technik (GaN). Jetzt soll am Standort Villach in Österreich die weltweit erste Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-mm-Wafern entstehen. Dafür sollen 1,1 Milliarden Euro investiert werden.
Im Rahmen des Projekts investiert Infineon nach eigenen Angaben bis zum Jahr 2034 rund 1,1 Milliarden Euro in die bestehenden Reinraumflächen am Standort Villach. Die gleichzeitige Nutzung der vorhandenen sowie modernisierten Infrastruktur soll einen besonders effizienten und kosteneffektiven Ausbau der Fertigungskapazitäten ermöglichen. Der Start der Produktion ist für Ende 2027 vorgesehen.
Vor zwei Jahren hatte Infineon bereits einen technologischen Meilenstein gesetzt, indem die weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid-Wafer erfolgreich prozessiert wurden. Der Wechsel von 200 mm auf 300 mm ermöglicht die 2,3-fache Anzahl an Chips pro Wafer. Die Entwicklung wurde maßgeblich von der Übernahme des kanadischen Spezialisten GaN Systems im Oktober 2023 beflügelt, für den Infineon 830 Millionen US-Dollar ausgegeben hat.
In die erste 300-mm-GaN-Produktionslinie sollen nun weitere 1,1 Milliarden US-Dollar investiert werden. Allerdings plant Infineon diese Ausgaben bis zum Jahr 2034. Zudem wird das Projekt von der österreichischen Regierung gefördert: Im Rahmen des Europäischen Chips Acts zur Stärkung der technologischen Souveränität sollen 319 Millionen Euro bezuschusst werden.
Diese substanzielle Investition ist unser klares Bekenntnis zur Stärkung des europäischen Halbleiter-Ökosystems und der technologischen Souveränität Europas. Mit der Errichtung der 300-Millimeter-Hochvolumenfertigung bringen wir Galliumnitrid-Leistungselektronik als erstes Unternehmen weltweit in die Volumenfertigung [...] Damit ebnen wir den Weg für den flächendeckenden Einsatz von Galliumnitrid in einer Vielzahl an Schlüsselanwendungen in Bereichen wie Künstliche Intelligenz, Energie-Infrastruktur, Elektromobilität und Robotik. Diese neue und hochmoderne Fertigung übersetzt Innovationsführerschaft in unmittelbaren Kundennutzen.
Galliumnitrid ist ein modernes Halbleitermaterial, das aus Gallium und Stickstoff besteht. Im Vergleich zu Silizium kann es Strom deutlich effizienter schalten und umwandeln. Es ermöglicht unter anderem höhere Schaltgeschwindigkeiten, eine höhere Elektronenbeweglichkeit für Hochfrequenzlösungen und kann hohe Spannungen besser verkraften. Die Branche verspricht sich davon auch „kleinere, leistungsfähigere und energieeffizientere elektronische Systeme mit geringeren Energieverlusten und weniger Wärmeentwicklung“.
GaN-Leistungshalbleiter kommen inzwischen immer mehr bei Ladegeräten, Adaptern und Motorsteuerungen zum Einsatz. Doch auch neue Produktfelder wie die Stromversorgung von KI-Systemen und Solarwechselrichter steigern die Nachfrage, wird berichtet. Infineon nennt außerdem Einsatzbereiche wie Energie-Infrastruktur, Elektromobilität und Robotik.
Infineon verweist an dieser Stelle zudem auf eine Studie der Yole Group aus dem Juli 2026. Die Analysten gehen davon aus, dass der Markt für GaN-Leistungshalbleiter 2031 rund dreieinhalb Milliarden Dollar beträgt – zwischen 2025 und 2031 soll der jährliche Zuwachs bei rund 35 Prozent liegen.
Mit der Hochserienfertigung auf 300-mm-Wafern dürfte der bisherige Kostennachteil von GaN-Halbleitern gegenüber Silizium-Chips zumindest deutlich gemindert werden. Da sich beide Halbleitermaterialien bei den Fertigungsprozessen ähnlich sind, lassen sich bestehende Anlagen relativ günstig umrüsten.