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iPhone 18 Pro Max 1 TB, quando la memoria diventa una lumaca
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Apple ha aumentato sensibilmente il prezzo delle configurazioni di iPhone con maggiore capacità di memoria, ma proprio queste potrebbero avere un limite che i modelli meno capienti non mostrano nello stesso modo: un forte crollo delle prestazioni quando la NAND viene sottoposta a scritture molto intense e prolungate.
A rilevare il fenomeno è stato Homolab. Nei suoi test la velocità di scrittura ha toccato per brevi momenti 1,1 MB/s, un valore estremamente basso per uno smartphone del livello di iPhone.
La causa è la memoria NAND QLC utilizzata nel modello da 1 TB provato da Homolab. Una cella QLC memorizza quattro bit, contro i tre della TLC, e consente quindi di ottenere capacità maggiori occupando meno spazio fisico. Il compromesso è una velocità inferiore quando la memoria deve sostenere scritture molto lunghe e continue.
Nell’uso normale il problema non c’è: l’iPhone non scrive subito direttamente sulla QLC. Il sistema sfrutta una cache SLC molto più veloce, che nei test ha raggiunto circa 3.000 MB/s.
Una volta riempita questa cache, entra in gioco un secondo buffer, la cui velocità secondo Homolab è attorno ai 578 MB/s.
Il vero rallentamento arriva quando anche questo secondo livello viene esaurito. A quel punto i dati devono essere scritti direttamente sulla QLC e le prestazioni precipitano: nei test si è scesi a circa 79,4 MB/s, con minimi di 25,6 MB/s.
La situazione è particolarmente critica quando una parte consistente dello spazio è già occupato.
Con l’iPhone 18 Pro Max da 1 TB riempito per circa il 60%, lo spazio disponibile per la cache SLC è sceso da circa 250 GB a 58 GB. Anche il secondo buffer ha rallentato, passando da 578 a 396 MB/s.
Una volta esauriti entrambi, la scrittura diretta sulla QLC ha viaggiato mediamente attorno ai 45 MB/s, arrivando in alcuni momenti, appunto, fino a 1,1 MB/s.